AGM425ME
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
AGM425ME
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6.6A/-3.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：25mΩ@10V, 4A; 65.5mΩ@-10V, -4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA/-1.5@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@10V; 14nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.495nF@20V; 0.6nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-6L
库存
35
货期
现货
AGM425ME参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
AGM425ME概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6.6A/-3.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：25mΩ@10V, 4A; 65.5mΩ@-10V, -4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA/-1.5@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@10V; 14nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.495nF@20V; 0.6nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM425ME特性
暂无产品特性。
AGM425ME应用领域
暂无应用领域。