AGM418MAP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM418MAP
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：18A/-18A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：18mΩ@10V, 5A; 20mΩ@-10V, -5A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.9nC@10V; 20nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.616nF@20V; 1.572nF@-20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
Brand
AGMSEMI
Package
PDFN-8(3.3x3.3)
Stock
5,030
货期
现货
AGM418MAPParameters
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5030 |
AGM418MAP概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：18A/-18A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：18mΩ@10V, 5A; 20mΩ@-10V, -5A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.9nC@10V; 20nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.616nF@20V; 1.572nF@-20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM418MAP特性
暂无产品特性。
AGM418MAP应用领域
暂无应用领域。