AGM40P65EL
IC
SOT-23
可供量大可议
AGM40P65EL
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：5A功率(Pd）：1.25W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：63mΩ@10V, 5A 栅极电荷（Qg@Vgs）14nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：600pF@20V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23
库存
45
货期
现货
AGM40P65EL参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
AGM40P65EL概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：5A功率(Pd）：1.25W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：63mΩ@10V, 5A 栅极电荷（Qg@Vgs）14nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：600pF@20V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM40P65EL特性
暂无产品特性。
AGM40P65EL应用领域
暂无应用领域。