AGM40P35A-KU
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AGM40P35A-KU
AGM40P35A-KU 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合， 可提供极低的导通电阻 (RDS(ON))。 该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
品牌
AGMSEMI
封装
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交期
现货
批次
—
AGM40P35A-KU参数
| 封装 | PDFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | AGM40P35A-KU |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00013 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:40V 电流:60A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AGM40P35A-KU概述
AGM40P35A-KU将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM40P35A-KU特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON), 以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷, 实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
AGM40P35A-KU应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源(SMPS)二次侧同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器