AGM40P35A
IC
PDFN(5x6)
可供量大可议
AGM40P35A
1个P沟道 耐压:40V 电流:60A
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN(5x6)
库存
90
货期
现货
AGM40P35A参数
| 封装 | PDFN(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 248pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | AGM40P35A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00014 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:40V 电流:60A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AGM40P35A概述
AGM40P35A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM40P35A特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON), 以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷, 实现快速开关
- 低热阻
AGM40P35A应用领域
- MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器