AGM40P25D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM40P25D
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：24A功率(Pd）：40W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：31mΩ@10V, 10A 栅极电荷（Qg@Vgs）19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1021pF@25V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
100
货期
现货
AGM40P25D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
AGM40P25D概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：24A功率(Pd）：40W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：31mΩ@10V, 10A 栅极电荷（Qg@Vgs）19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1021pF@25V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM40P25D特性
暂无产品特性。
AGM40P25D应用领域
暂无应用领域。