AGM40P25AP
IC
PDFN3.3x3.3-8
可供量大可议
AGM40P25AP
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：19A功率(Pd）：34W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：32mΩ@10V, 10A 栅极电荷（Qg@Vgs）19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.021nF@20V, Vds=-40v Id=-19A Rds=32mΩ， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN3.3x3.3-8
库存
45
货期
现货
AGM40P25AP参数
| 封装 | PDFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
AGM40P25AP概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：19A功率(Pd）：34W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：32mΩ@10V, 10A 栅极电荷（Qg@Vgs）19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.021nF@20V, Vds=-40v Id=-19A Rds=32mΩ， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM40P25AP特性
暂无产品特性。
AGM40P25AP应用领域
暂无应用领域。