AGM40P25A
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
AGM40P25A
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：32mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.021nF@20V, Vds=-40V Id=-19A Rds=32mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(5x6)
库存
2,840
货期
现货
AGM40P25A参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2840 |
AGM40P25A概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：32mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.021nF@20V, Vds=-40V Id=-19A Rds=32mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM40P25A特性
暂无产品特性。
AGM40P25A应用领域
暂无应用领域。