AGM40P20S
IC
SOP-8
可供量大可议
AGM40P20S
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：8.0A功率(Pd）：2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：28mΩ@10V, 8A 栅极电荷（Qg@Vgs）11nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1200pF@20V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOP-8
库存
45
货期
现货
AGM40P20S参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
AGM40P20S概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：8.0A功率(Pd）：2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：28mΩ@10V, 8A 栅极电荷（Qg@Vgs）11nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1200pF@20V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM40P20S特性
暂无产品特性。
AGM40P20S应用领域
暂无应用领域。