AGM406MBQ
IC
WQFN3x3
可供量大可议
AGM406MBQ
AGM406MBQ将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
WQFN3x3
库存
200
货期
现货
AGM406MBQ参数
| 封装 | WQFN3x3 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
| 商品型号 | AGM406MBQ |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 6.4e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 870pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:40V 电流:25A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AGM406MBQ概述
AGM406MBQ将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM406MBQ特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON), 以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷, 实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
AGM406MBQ应用领域
- MB/VGA Vcore-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器