AGM403A1-M1
IC
PDFN5x6-8
可供量大可议
AGM403A1-M1
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：65nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.341nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
Brand
AGMSEMI
Package
PDFN5x6-8
Stock
65
货期
现货
AGM403A1-M1Parameters
| 封装 | PDFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
AGM403A1-M1概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：65nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.341nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM403A1-M1特性
暂无产品特性。
AGM403A1-M1应用领域
暂无应用领域。