AGM4025AP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM4025AP
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.3mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.605nF@20V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
4,020
货期
现货
AGM4025AP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4020 |
AGM4025AP概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.3mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.605nF@20V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM4025AP特性
暂无产品特性。
AGM4025AP应用领域
暂无应用领域。