AGM4005LL
Available可供
IC
TOLL-8L
AGM4005LL
AGM4005LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
Brand
AGMSEMI
Package
TOLL-8L
交期
现货
Date Code
—
AGM4005LLParameters
| 封装 | TOLL-8L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF |
| 输出电容(Coss) | 1.815nF |
| 商品型号 | AGM4005LL |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00091 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 输入电容(Ciss) | 5.44nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:350A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AGM4005LL概述
AGM4005LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM4005LL特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON), 可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷, 实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
AGM4005LL应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器