AGM3P06E
IC
SOT-23-3
可供量大可议
AGM3P06E
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：90mΩ@-10V, -3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：315pF@-30V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-3
库存
10
货期
现货
AGM3P06E参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
AGM3P06E概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：90mΩ@-10V, -3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：315pF@-30V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM3P06E特性
暂无产品特性。
AGM3P06E应用领域
暂无应用领域。