AGM3407EL
IC
SOT-23
可供量大可议
AGM3407EL
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：40mΩ@10V, 4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.56nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23
库存
30
货期
现货
AGM3407EL参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
AGM3407EL概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：40mΩ@10V, 4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.56nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM3407EL特性
暂无产品特性。
AGM3407EL应用领域
暂无应用领域。