AGM320ME
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
AGM320ME
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.6A/-2.0A 功率(Pd)：1.7W/1.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：23mΩ@10V, 10A; 70mΩ@-10V, -10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA/-1.5V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.7nC@10V; 13.2nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.618nF@15V; 0.689nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-6L
库存
3,000
货期
现货
AGM320ME参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
AGM320ME概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.6A/-2.0A 功率(Pd)：1.7W/1.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：23mΩ@10V, 10A; 70mΩ@-10V, -10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA/-1.5V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.7nC@10V; 13.2nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.618nF@15V; 0.689nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM320ME特性
暂无产品特性。
AGM320ME应用领域
暂无应用领域。