AGM312M2
IC
SOP-8
可供量大可议
AGM312M2
AGM312M2将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
SOP-8
库存
5
货期
现货
AGM312M2参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V； 16nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF； 33pF |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:9A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V； 37mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V； 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 620pF； 510pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 115pF； 95pF |
| 商品型号 | AGM312M2 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00014 |
AGM312M2概述
AGM312M2将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM312M2特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON), 以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷, 实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS 测试
AGM312M2应用领域
- MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器