AGM30P35AP
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM30P35AP
AGM30P35AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
4,820
货期
现货
AGM30P35AP参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4820 |
AGM30P35AP概述
AGM30P35AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM30P35AP特性
暂无产品特性。
AGM30P35AP应用领域
暂无应用领域。