AGM30P20M
IC
SOP-8
可供量大可议
AGM30P20M
类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：3.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：17mΩ@10V, 5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.924nF@15V, Vds=-30V Id=-11A Rds=17mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOP-8
库存
60
货期
现货
AGM30P20M参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
AGM30P20M概述
类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：3.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：17mΩ@10V, 5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.924nF@15V, Vds=-30V Id=-11A Rds=17mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM30P20M特性
暂无产品特性。
AGM30P20M应用领域
暂无应用领域。