AGM30P18E
IC
SOT-23-3
可供量大可议
AGM30P18E
AGM30P18E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-3
库存
1,310
货期
现货
AGM30P18E参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1310 |
AGM30P18E概述
AGM30P18E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM30P18E特性
暂无产品特性。
AGM30P18E应用领域
暂无应用领域。