AGM30P16MBP
IC
PDFN3.3x3.3-8
可供量大可议
AGM30P16MBP
类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20.5A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：12.5mΩ@-10V, -10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：26nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.38nF@-15V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN3.3x3.3-8
库存
5,280
货期
现货
AGM30P16MBP参数
| 封装 | PDFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5280 |
AGM30P16MBP概述
类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20.5A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：12.5mΩ@-10V, -10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：26nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.38nF@-15V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM30P16MBP特性
暂无产品特性。
AGM30P16MBP应用领域
暂无应用领域。