AGM30P150D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM30P150D
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.0mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：177nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：12.573nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
6
货期
现货
AGM30P150D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
AGM30P150D概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.0mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：177nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：12.573nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM30P150D特性
暂无产品特性。
AGM30P150D应用领域
暂无应用领域。