AGM30N10D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM30N10D
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：28A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.445nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
Brand
AGMSEMI
Package
TO-252
Stock
45
货期
现货
AGM30N10DParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
AGM30N10D概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：28A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.445nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM30N10D特性
暂无产品特性。
AGM30N10D应用领域
暂无应用领域。