AGM308MAP
IC
PDFN3.3x3.3-8
可供量大可议
AGM308MAP
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A/-28A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：8mΩ@10V, 15A; 12.5mΩ@-10V, -15A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：21.5nC@10V; 38nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1078pF@15V; 1452pF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN3.3x3.3-8
库存
30
货期
现货
AGM308MAP参数
| 封装 | PDFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
AGM308MAP概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A/-28A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：8mΩ@10V, 15A; 12.5mΩ@-10V, -15A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：21.5nC@10V; 38nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1078pF@15V; 1452pF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM308MAP特性
暂无产品特性。
AGM308MAP应用领域
暂无应用领域。