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AGM307MNQ
IC

WQFN5x6

可供量大可议

AGM307MNQ

AGM307MNQ将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

品牌

AGMSEMI

封装

WQFN5x6

库存

15

货期

现货

AGM307MNQ参数

封装WQFN5x6
品牌AGMSEMI(芯控源)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存15

AGM307MNQ概述

AGM307MNQ将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

AGM307MNQ特性

暂无产品特性。

AGM307MNQ应用领域

暂无应用领域。

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