AGM306MDP
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
AGM306MDP
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：46A功率(Pd）：20W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：6.1mΩ@10V, 20A 栅极电荷（Qg@Vgs）：25nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1250PF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
DFN-8(3x3)
库存
130
货期
现货
AGM306MDP参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
AGM306MDP概述
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：46A功率(Pd）：20W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：6.1mΩ@10V, 20A 栅极电荷（Qg@Vgs）：25nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1250PF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM306MDP特性
暂无产品特性。
AGM306MDP应用领域
暂无应用领域。