AGM305MD
IC
TO-252-4L
可供量大可议
AGM305MD
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A/-45A 功率(Pd)：23W/31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.5mΩ@10V, 20A; 7.6mΩ@-10V, -20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA/-1.6V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V; 61nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.6nF@15V; 2.98nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)/-55 To 175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252-4L
库存
2,040
货期
现货
AGM305MD参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2040 |
AGM305MD概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A/-45A 功率(Pd)：23W/31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.5mΩ@10V, 20A; 7.6mΩ@-10V, -20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA/-1.6V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V; 61nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.6nF@15V; 2.98nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)/-55 To 175℃@(Tj)
AGM305MD特性
暂无产品特性。
AGM305MD应用领域
暂无应用领域。