AGM304MBQ
IC
WQFN-8(3x3)
可供量大可议
AGM304MBQ
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：45A功率(Pd）：23W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：4.2mΩ@10V, 15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.869nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
WQFN-8(3x3)
库存
3,935
货期
现货
AGM304MBQ参数
| 封装 | WQFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3935 |
AGM304MBQ概述
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：45A功率(Pd）：23W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：4.2mΩ@10V, 15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.869nF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM304MBQ特性
暂无产品特性。
AGM304MBQ应用领域
暂无应用领域。