AGM3045AP
IC
PDFN3.3x3.3-8
可供量大可议
AGM3045AP
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.6mΩ@10V, 30A 栅极电荷(Qg@Vgs)：34nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1760pF@15V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN3.3x3.3-8
库存
4,630
货期
现货
AGM3045AP参数
| 封装 | PDFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4630 |
AGM3045AP概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.6mΩ@10V, 30A 栅极电荷(Qg@Vgs)：34nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1760pF@15V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
AGM3045AP特性
暂无产品特性。
AGM3045AP应用领域
暂无应用领域。