AGM3015H-W1
IC
TO-263
可供量大可议
AGM3015H-W1
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：240A 功率(Pd)：268W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.6mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：231nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.201nF@15V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-263
库存
50
货期
现货
AGM3015H-W1参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
AGM3015H-W1概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：240A 功率(Pd)：268W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.6mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：231nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.201nF@15V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
AGM3015H-W1特性
暂无产品特性。
AGM3015H-W1应用领域
暂无应用领域。