AGM3012H
IC
TO-263
可供量大可议
AGM3012H
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：193A 功率(Pd)：95W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：125nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7865pF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-263
库存
40
货期
现货
AGM3012H参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
AGM3012H概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：193A 功率(Pd)：95W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：125nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7865pF@15V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM3012H特性
暂无产品特性。
AGM3012H应用领域
暂无应用领域。