AGM28P15C
IC
TO-220
可供量大可议
AGM28P15C
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V连续漏极电流（Id）：30A功率(Pd）：180W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：78mΩ@10V, 20A 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8240pF@75V， 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-220
库存
48
货期
现货
AGM28P15C参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
AGM28P15C概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V连续漏极电流（Id）：30A功率(Pd）：180W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：78mΩ@10V, 20A 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8240pF@75V， 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
AGM28P15C特性
暂无产品特性。
AGM28P15C应用领域
暂无应用领域。