AGM218ME
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
AGM218ME
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A/-6A 功率(Pd)：2.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：18mΩ@4.5V, 4A; 28mΩ@-4.5V, -4A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V; 18nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：637pF@10V; 673pF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-6L
库存
20
货期
现货
AGM218ME参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
AGM218ME概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A/-6A 功率(Pd)：2.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：18mΩ@4.5V, 4A; 28mΩ@-4.5V, -4A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V; 18nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：637pF@10V; 673pF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM218ME特性
暂无产品特性。
AGM218ME应用领域
暂无应用领域。