AGM218MAP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM218MAP
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：16mΩ@4.5V, 4A; 24mΩ@-4.5V, -4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V; 18nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.637nF@10V; 0.673nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
100
货期
现货
AGM218MAP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
AGM218MAP概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：16mΩ@4.5V, 4A; 24mΩ@-4.5V, -4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V; 18nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.637nF@10V; 0.673nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM218MAP特性
暂无产品特性。
AGM218MAP应用领域
暂无应用领域。