AGM216MNE
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
AGM216MNE
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：21mΩ@4.5V, 5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：0.356nF@10V, Vds=20V Id=3.3A Rds=21mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-6L
库存
10
货期
现货
AGM216MNE参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
AGM216MNE概述
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：21mΩ@4.5V, 5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：0.356nF@10V, Vds=20V Id=3.3A Rds=21mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM216MNE特性
暂无产品特性。
AGM216MNE应用领域
暂无应用领域。