AGM20T09C
IC
TO-220
可供量大可议
AGM20T09C
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：9.3mΩ@10V, 35A 栅极电荷(Qg@Vgs)：145nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.656nF@100V, Vds=200V Id=110A Rds=9.3mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-220
库存
38
货期
现货
AGM20T09C参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
AGM20T09C概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：9.3mΩ@10V, 35A 栅极电荷(Qg@Vgs)：145nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.656nF@100V, Vds=200V Id=110A Rds=9.3mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM20T09C特性
暂无产品特性。
AGM20T09C应用领域
暂无应用领域。