AGM20T09AT
IC
TO-247
可供量大可议
AGM20T09AT
AGM20T09AT将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
TO-247
库存
89
货期
现货
AGM20T09AT参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
AGM20T09AT概述
AGM20T09AT将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM20T09AT特性
暂无产品特性。
AGM20T09AT应用领域
暂无应用领域。