AGM20P25AS
IC
DFN-8(2x2)
可供量大可议
AGM20P25AS
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：23mΩ@4.5V, 4A 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.673nF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
DFN-8(2x2)
库存
40
货期
现货
AGM20P25AS参数
| 封装 | DFN-8(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
AGM20P25AS概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：23mΩ@4.5V, 4A 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.673nF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM20P25AS特性
暂无产品特性。
AGM20P25AS应用领域
暂无应用领域。