AGM208D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM208D
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.2mΩ@4.5V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.195nF@10V, Vds=20V Id=50A Rds=7.5mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
95
货期
现货
AGM208D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
AGM208D概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.2mΩ@4.5V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.195nF@10V, Vds=20V Id=50A Rds=7.5mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM208D特性
暂无产品特性。
AGM208D应用领域
暂无应用领域。