AGM206MDP
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
AGM206MDP
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：8A功率(Pd）：35.7W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：16mΩ@10V, 6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：8.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.333nF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
DFN-8(3x3)
库存
155
货期
现货
AGM206MDP参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 155 |
AGM206MDP概述
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：8A功率(Pd）：35.7W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：16mΩ@10V, 6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：8.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.333nF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM206MDP特性
暂无产品特性。
AGM206MDP应用领域
暂无应用领域。