AGM205AP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM205AP
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：58W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.0mΩ@4.5V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：38nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.620nF@15V, Vds=20V Id=100A Rds=3.0mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
70
货期
现货
AGM205AP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
AGM205AP概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：58W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.0mΩ@4.5V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：38nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.620nF@15V, Vds=20V Id=100A Rds=3.0mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM205AP特性
暂无产品特性。
AGM205AP应用领域
暂无应用领域。