AGM18N20D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM18N20D
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：158W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：120mΩ@10V, 9A 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.882nF@25V, Vds=200V Id=18A Rds=120mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
1,980
货期
现货
AGM18N20D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1980 |
AGM18N20D概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：158W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：120mΩ@10V, 9A 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.882nF@25V, Vds=200V Id=18A Rds=120mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM18N20D特性
暂无产品特性。
AGM18N20D应用领域
暂无应用领域。