AGM18N10MNA
IC
PDFN5x6-8
可供量大可议
AGM18N10MNA
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：18mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：26nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN5x6-8
库存
2,875
货期
现货
AGM18N10MNA参数
| 封装 | PDFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2875 |
AGM18N10MNA概述
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：18mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：26nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM18N10MNA特性
暂无产品特性。
AGM18N10MNA应用领域
暂无应用领域。