AGM15T06C-B
IC
TO-220
可供量大可议
AGM15T06C-B
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：140V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5.7mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.752nF@40V, Vds=140V Id=120A Rds=5.7mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-220
库存
78
货期
现货
AGM15T06C-B参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 78 |
AGM15T06C-B概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：140V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5.7mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.752nF@40V, Vds=140V Id=120A Rds=5.7mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM15T06C-B特性
暂无产品特性。
AGM15T06C-B应用领域
暂无应用领域。