AGM15P30E
IC
SOT-23-3
可供量大可议
AGM15P30E
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：15V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：34mΩ@4.5V, 3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.661nF@10V, Vds=-15V Id=-4.1A Rds=34mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-3
库存
100
货期
现货
AGM15P30E参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
AGM15P30E概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：15V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：34mΩ@4.5V, 3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.661nF@10V, Vds=-15V Id=-4.1A Rds=34mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM15P30E特性
暂无产品特性。
AGM15P30E应用领域
暂无应用领域。