AGM15P22AS
IC
DFN-8(2x2)
可供量大可议
AGM15P22AS
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：9.0A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：20mΩ@4.5V, 3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.728nF@10V, Vds=-16V Id=-9.0A Rds=20mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
DFN-8(2x2)
库存
70
货期
现货
AGM15P22AS参数
| 封装 | DFN-8(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
AGM15P22AS概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：9.0A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：20mΩ@4.5V, 3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.728nF@10V, Vds=-16V Id=-9.0A Rds=20mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM15P22AS特性
暂无产品特性。
AGM15P22AS应用领域
暂无应用领域。