AGM150P10AP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM150P10AP
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：69W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：112mΩ@10V, 5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.7nF@50V, Vds=-100V Id=-16A Rds=112mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
100
货期
现货
AGM150P10AP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
AGM150P10AP概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：69W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：112mΩ@10V, 5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.7nF@50V, Vds=-100V Id=-16A Rds=112mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM150P10AP特性
暂无产品特性。
AGM150P10AP应用领域
暂无应用领域。