AGM13T30D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM13T30D
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：135V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：32.5mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.622nF@40V, Vds=135V Id=30A Rds=32.5mΩ, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
85
货期
现货
AGM13T30D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
AGM13T30D概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：135V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：32.5mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.622nF@40V, Vds=135V Id=30A Rds=32.5mΩ, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
AGM13T30D特性
暂无产品特性。
AGM13T30D应用领域
暂无应用领域。