AGM13T05A
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
AGM13T05A
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：135V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5.5mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.566nF@40V, Vds=135V Id=120A Rds=5.5mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(5x6)
库存
1
货期
现货
AGM13T05A参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
AGM13T05A概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：135V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5.5mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.566nF@40V, Vds=135V Id=120A Rds=5.5mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM13T05A特性
暂无产品特性。
AGM13T05A应用领域
暂无应用领域。