AGM1075MN
IC
SOP-8
可供量大可议
AGM1075MN
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：62mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.520nF@50V, Vds=100V Id=10A Rds=62mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOP-8
库存
15
货期
现货
AGM1075MN参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
AGM1075MN概述
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：62mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.520nF@50V, Vds=100V Id=10A Rds=62mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM1075MN特性
暂无产品特性。
AGM1075MN应用领域
暂无应用领域。